演講議程

• 14:00 - 14:30
  報到
• 14:30 - 16:00
  演講與交流
*本演講全程以英文方式進行

講題簡介

隨著矽晶片電晶體和元件尺寸接近量子極限，為滿足運算能力和記憶體儲存需求，透過第三維度堆疊並整合元件為可能的解決方案，需開發與Si-CMOS功率元件相容的薄層材料。本次演講將介紹具有原子級薄度與新穎特性的二維量子材料，具超越Si-CMOS技術的潛力，為相當前瞻性的科學探究與技術應用。

講者介紹

• 葉乃裳教授現任國立臺灣師範大學物理學系玉山學者暨講座教授，同時也是美國加州理工學院（Caltech）Thomas W. Hogan物理學講座教授，並且為中研院院士、美國物理學會會士、美國科學促進會會士。

• 主要研究領域包含高溫超導電子系統、拓撲材料和異質結構、低維系統(各種凡得瓦材料如石墨烯、過渡金屬二硫化物和六方氮化硼) 及其異質結構、半導體奈米結構、量子點。研究專長之一為奈米科學的量測技術掃描探針顯微鏡及相關儀器研發，用於量測石墨烯在奈米尺度下應力特徵所產生的量子谷電子物理行為。

• 葉乃裳教授在國際科學期刊上已發表超過160篇論文，並由世界科學出版社出版了一本書的章節，此外，她還擁有9項專利，並與台灣商業週刊出版了一本自傳（中文書籍）。

• https://yehgroup.caltech.edu/