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半導體的挑戰

齋藤理一郎

齋藤理一郎

國立臺灣師範大學玉山學者、物理系講座教授/日本東北大學榮譽退休教授


日期:2024/11/29

時間:14:30 - 15:30

地點:教育學院大樓二樓教202國際會議室


主辦單位:國立臺灣師範大學
協辦單位:國立臺灣師範大學理學院、物理學系


演講議程

  • 14:00 - 14:30
    報到
  • 14:30 - 15:30
    演講與交流
  • *本演講全程以英文方式進行

講題簡介

為什麼全世界都依賴臺灣的先進半導體產業?新型奈米科學正融入半導體材料研究之中,包括使用一維及二維材料(例如奈米管或石墨烯)。介紹半導體基本概念、並說明當半導體裝置縮小成奈米(nm)時會遇到的問題與挑戰。


講者介紹

  • 齋藤理一郎教授現任國立臺灣師範大學玉山學者暨物理系講座教授,亦為日本東北大學的榮譽退休教授。他目前擔任日本科學技術振興機構(JST)CREST計劃「利用奈米材料的半導體裝置結構基礎技術」的研究主管,該計畫為期2023年至2030年。齋藤教授以奈米碳管領域的專業知識而聞名,為該領域的領導專家,其開創性研究擴展了奈米碳管的應用潛力。在其眾多的榮譽之中,齋藤教授曾獲得日本《應用物理學會》論文獎,反映他對科學界的重大貢獻。

  • 研究領域:以第一原理理論計算,探究1.0、2.0、及2.5次元量子材料的聲子振動頻率與模式、電子能帶結構、及電子與聲子交互作用,這些低次元量子材料包括奈米碳管、單層石墨烯薄膜、雙層石墨烯薄膜、單層過渡金屬雙硫屬化合物薄膜、氮化硼奈米管、單層氮化硼薄膜、多層氮化硼薄膜、及其異質結構材料。


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